Technologia cienkich warstw jest podstawą technologii półprzewodników zajmującej się wytwarzaniem zintegrowanych układów elektronicznych. Cały cykl wytwórczy składa się z szeregu operacji takich jak trawienie i osadzanie warstw. Z upływem czasu rośnie precyzja i stopień złożoności zarówno strukturalnej, jak i materiałowej. Aktualnie coraz większą uwagę poświęca się materiałom organicznym, które niesłychanie poszerzają gamę dostępnych kombinacji ?warstwowych?. Tak więc technologia cienkich warstw obejmująca zarówno osadzanie warstw jak również ich formowanie jest pierwszym ogniwem w cyklu produkcyjnym urządzeń elektronicznych. W związku z powyższym zainteresowanie technologiami wytwarzania cienkich warstw jest bardzo duże co prowadzi do szybkiego rozwoju tej dziedziny. Generalnie rozwój podąża w dwóch kierunkach. Pierwszy to udoskonalanie i poszukiwanie alternatywnych tańszych rozwiązań, drugi to testowanie innowacyjnych technologii dających nowe możliwości, nowe struktury i nową jakość.

Współczesne technologie dają możliwość powtarzalnego wytwarzania i kontrolowania wzrostu warstw o grubościach na poziomie kilkunastu nanometrów.

Technologie wytwarzania cienkich warstw można podzielić na kilka grup. Pierwszy podział związany ze sposobem wytwarzania par osadzanego materiału wyróżnia metody osadzania fizycznego (Physical Vapor Deposition ? PVD) i chemicznego (Chemical Vapor Deposition ? CVD). Inny podział wynika ze środowiska w jakim prowadzony jest proces osadzania warstw i możemy wyodrębnić tu procesy biegnące w próżni (Thermal evaporation ? TE, Molecular-beam epitazy ? MBE, Pulsed laser deposition ? PLD, Magnetron sputtering), środowisku gazowym (Metalorganic CVD ? MOCVD, Low-pressure CVD ? LPCVD) i środowisku ciekłym (Liquid phase epitaxy ? LPE). Są to wybrane podstawowe metody, występujące w wielu odmianach.